弯道超车？三星3nm制程有可能先于台积电投产

集微网消息，弯道据台媒《经济日报》5月2日转引外媒披露，超车程有产三星在对投资人释出的星n先于最新简报中透露，旗下3nm制程将在未来几周内开始投产，台积进度比更快，电投力图弯道超车，弯道正式引爆今年台积电与三星最先进的超车程有产制程竞争激战。

台积电向来不对竞争对手置评。星n先于台积电先前于法说会上指出，台积采用FinFET架构的电投3nm依原规画在下半年量产，将是弯道“下个大成长节点”。

业界人士分析，超车程有产三星虽然宣称3nm迈入量产倒数计时，星n先于但从晶体管密度、台积效能等层面分析，电投三星的3nm与应与台积电5nm家族的4nm，以及的Intel 4制程相当。

据台媒《经济日报》分析，三星以“3nm”为最新制程进度命名，表面上赢了面子，但在晶体管密度、效能等都还是落后台积电，“实际上还是输了里子”。

TechSpot等外媒报导，三星向投资人简报表示，正全力准备让GAA架构的3nm制程在今年上半年进入投产阶段，也就是在未来八周内启动量产程序，意味3nm量产倒数计时。

三星表示，相较于目前旗下7nm FinFET架构制程，新的3nm制程所生产的芯片，可以在0.75伏特以下的低电压环境工作，使整体耗电量降低50%，效能提升30%，芯片体积减少45%。

分析师指出，三星的3nm制程所能达到的晶体管密度，最终可能与英特尔的制程4或者台积电的nm米家族当中的4nm相当，但是频宽与漏电控制表现会更好，带来更优异的效能。

但目前无法得知的最大变量，是三星的3nm制程良率能有多好。三星先前全力发展的4nm制程就因良率太低，导致主要客户大幅转单台积电。业界传出，目前三星3nm良率仅约10%出头，但未获三星证实。

另一方面，三星也未透露采用其3nm制程的客户。相较之下，台积电总裁魏哲家先前已于法说会上透露，旗下3nm应用有诸多客户参与，预计首年相较5nm与7nm，会有更多新的产品设计定案。

业界认为，、、英伟达、、英特尔、联发科等大厂，都会是台积电3nm量产初期的主要客户，应用范围涵盖高速运算、智慧手机等领域。台积电强调，3nm今年下半年量产之后，在PPA（效能、功耗及面积）及晶体管技术都将领先，且有良好的良率，有信心3nm会持续赢得客户信赖。

另外，台积电也已着手进行更先进的2nm布局，预期2024年风险试产，目标2025年量产，看好2nm将是业界最领先，且是支持客户成长最适合的技术。